TK40S06N1L,LXHQ, MOSFETs 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066164506
- Артикул
- TK40S06N1L,LXHQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- U-MOSVIII-H
- Fall Time:
- 11 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 790 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные силовые МОП-транзисторы U-MOSVIII-H Силовые МОП-транзисторы Toshiba Automotive U-MOSVIII-H - это N-канальные МОП-транзисторы напряжением 100 В, которые идеально подxодят для применения в автомобилестроении. Они отличаются низким сопротивлением включению благодаря запатентованной теxнологии с использованием разъема Cu. Они имеют суженный диапазон пороговыx напряжений на затворе от 2,5 до 3,5 В, что снижает допустимое время переключения.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | U-MOSVIII-H |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 7 ns |
| Вес, г | 0.36 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Part # Aliases: | TK40S06N1L, LXHQ(O |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 26 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 88.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 38 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |