TK40A06N1,S4X, MOSFETs MOSFET NCh 8.4ohm VGS10V10uAVDS60V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007344472
- Артикул
- TK40A06N1,S4X
- Бренд
- Toshiba
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1.95
Цена по запросу
(от 530 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 60 В 40А (Tc) 30 Вт (Tc) со сквозным отверстием TO-220SIS
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.95 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 20A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 30W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A(Tc) |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8.4Ом |