Моя заявка (0)
TK3R1A04PL,S4X, MOSFETs N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006211088
Артикул
TK3R1A04PL,S4X
Бренд
Toshiba
Вес, г
2
Длина
10 mm
Серия
TK3R1A04
Высота
15 mm
Цена по запросу
(от 700 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W

Технические параметры

Вес, г2
Длина10 mm
СерияTK3R1A04
Высота15 mm
Ширина4.5 mm
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада27 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаToshiba
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора63.4 nC
Время нарастания12 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности36 W
Id - непрерывный ток утечки82 A
Коммерческое обозначениеU-MOSIX-H
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток2.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Пороговое напряжение на затворе1.6V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+175 C
Типичное время задержки выключения83 ns
Типичное время задержки при включении28 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт36
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В20 V, +20 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.5 mOhms

Техническая документация