TK3P80E,RQ, #ИМЯ?
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017686081
- Артикул
- TK3P80E,RQ
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 6.32
- Серия
- TK3P80E
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 350 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PWR MOS PD=80W F=1MHZ
Технические параметры
| Вес, г | 6.32 |
| Серия | TK3P80E |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 22 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Время нарастания | 25 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 80 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Коммерческое обозначение | MOSVIII |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.9 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 70 ns |
| Типичное время задержки при включении | 50 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 30 V, +30 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.9 Ohms |