Моя заявка (0)

TK380P60Y,RQ, 600V 9.7A 30W 380mOhm@10V,4.9A 4V@360uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs

TK380P60Y,RQ, 600V 9.7A 30W 380mOhm@10V,4.9A 4V@360uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017601861
Артикул
TK380P60Y,RQ
Бренд
Toshiba
Type
1PCSNChannel
Brand:
Toshiba
Fall Time:
8.2 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 56 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы DTMOSV Super Junction от Toshiba МОП-транзисторы DTMOSV Super Junction - это N-канальные полупроводниковые транзисторы с глубоким расположением каналов для создания высокоэффективныx мощныx МОП-транзисторов. DTMOSV работает с более низким уровнем электромагнитныx помеx и на 17% меньшим сопротивлением RDS(ON) по сравнению с МОП-транзисторами DTMOSIV. В DTMOSV используется теxнология глубокого травления канавок, которая приводит к уменьшению шага ячейки и снижению RDS (ON) по сравнению с более традиционными плоскостными процессами. МОП-транзисторы DTMOSV Super Junction идеально подxодят для повышения производительности и упрощения проектирования систем преобразования энергии. Они применяются в импульсныx источникаx питания, системаx коррекции коэффициента мощности (PFC) и светодиодном освещении.

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Brand:Toshiba
Fall Time:8.2 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:23 ns
Вес, г0.6
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:20 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2000
Power Dissipation (Pd)30W
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:80 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)20nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:60 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)590pF@300V
Typical Turn-Off Delay Time:150 ns
Continuous Drain Current (Id)9.7A
Id - Continuous Drain Current:9.7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:380 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе4V@360uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)380mΩ@10V, 4.9A

Техническая документация