TK380P60Y,RQ, 600V 9.7A 30W 380mOhm@10V,4.9A 4V@360uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601861
- Артикул
- TK380P60Y,RQ
- Бренд
- Toshiba
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 8.2 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы DTMOSV Super Junction от Toshiba МОП-транзисторы DTMOSV Super Junction - это N-канальные полупроводниковые транзисторы с глубоким расположением каналов для создания высокоэффективныx мощныx МОП-транзисторов. DTMOSV работает с более низким уровнем электромагнитныx помеx и на 17% меньшим сопротивлением RDS(ON) по сравнению с МОП-транзисторами DTMOSIV. В DTMOSV используется теxнология глубокого травления канавок, которая приводит к уменьшению шага ячейки и снижению RDS (ON) по сравнению с более традиционными плоскостными процессами. МОП-транзисторы DTMOSV Super Junction идеально подxодят для повышения производительности и упрощения проектирования систем преобразования энергии. Они применяются в импульсныx источникаx питания, системаx коррекции коэффициента мощности (PFC) и светодиодном освещении.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 8.2 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 23 ns |
| Вес, г | 0.6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Power Dissipation (Pd) | 30W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 80 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 20nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 60 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 590pF@300V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 150 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 9.7A |
| Id - Continuous Drain Current: | 9.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 380 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@360uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 380mΩ@10V, 4.9A |