TK35N65W5,S1F, MOSFETs MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062957832
- Артикул
- TK35N65W5,S1F
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 6
- Длина
- 15.94 mm
- Серия
- TK35N65W
- Высота
- 20.95 mm
Цена по запросу
(от 2 260 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
Технические параметры
| Вес, г | 6 |
| Длина | 15.94 mm |
| Серия | TK35N65W |
| Высота | 20.95 mm |
| Ширина | 5.02 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 115 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 270 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 80 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |