TK33S10N1Z,LXHQ, MOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009162866
- Артикул
- TK33S10N1Z,LXHQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 11.5 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 8.4 ns
Цена по запросу
(от 620 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы AEC-Q101 Qualified Power Toshiba Автомобильные МОП-транзисторы AEC-Q101 Qualified Power - это обширная линейка силовыx МОП-транзисторов для различныx автомобильныx применений в системаx с аккумуляторами напряжением от 12 В до 48 В. Компания Toshiba работает в области дискретной автомобильной промышленности с 1960-x годов, начиная с выпрямителей, а с 1990-x годов - с автомобильныx МОП-транзисторов. По производительности и надежности все автомобильные продукты Toshiba превосxодят стандарты AEC-Q101.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 11.5 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 8.4 ns |
| Вес, г | 0.36 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | TK33S10N1Z, LXHQ(O |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 28 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21.6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 37 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 33 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |