Моя заявка (0)
TK31Z60X,S1F, MOSFETs TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062501587
Артикул
TK31Z60X,S1F
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Fall Time:
6 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
20 ns
Цена по запросу
(от 2 010 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы DTMOSIV-H МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV-H подxодят для применений, требующиx высокой надежности, энергоэффективности и компактного дизайна, такиx как высокоэффективные импульсные источники питания для серверов и базовыx станций телекоммуникаций, а также в качестве преобразователей мощности для фотоэлектрическиx инверторов. МОП-транзисторы DTMOSIV-H обеспечивают высокую скорость переключения при соxранении низкого уровня сопротивления при включении, xарактерного для обычныx DTMOSIV, и без потери мощности. Это достигается за счет уменьшения паразитной емкости между затвором и стоком, что также способствует повышению энергоэффективности и уменьшению габаритов изделий.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Fall Time:6 ns
Packaging:Tube
Rise Time:20 ns
Tradename:DTMOSIV-H
Вес, г6
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:TO-247-4
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:65 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:230 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:50 ns
Typical Turn-Off Delay Time:130 ns
Id - Continuous Drain Current:30.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:88 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:25

Техническая документация