TK31V60X,LQ(S, Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026391060
- Артикул
- TK31V60X,LQ(S
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- No
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 1 060 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH Si 600V 30,8A с 5-контактным разъемом DFN EP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 5 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 5 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single Triple Source |
| Package Width | 8 |
| Package Length | 8 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DFN EP |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | DFN |
| Typical Fall Time (ns) | 6 |
| Typical Rise Time (ns) | 22 |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 240000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 65 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 65@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3000@300V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 98@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |