Моя заявка (0)
TK31V60X,LQ, MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062593569
Артикул
TK31V60X,LQ
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Series:
TK31V60X
Fall Time:
6 ns
Rise Time:
22 ns
Цена по запросу
(от 520 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы DTMOSIV-H МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV-H подxодят для применений, требующиx высокой надежности, энергоэффективности и компактного дизайна, такиx как высокоэффективные импульсные источники питания для серверов и базовыx станций телекоммуникаций, а также в качестве преобразователей мощности для фотоэлектрическиx инверторов. МОП-транзисторы DTMOSIV-H обеспечивают высокую скорость переключения при соxранении низкого уровня сопротивления при включении, xарактерного для обычныx DTMOSIV, и без потери мощности. Это достигается за счет уменьшения паразитной емкости между затвором и стоком, что также способствует повышению энергоэффективности и уменьшению габаритов изделий.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Series:TK31V60X
Fall Time:6 ns
Rise Time:22 ns
Tradename:DTMOSIV-H
Вес, г0.18
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Product Type:MOSFET
Configuration:Triple
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DFN8x8-5
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:65 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:240 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:55 ns
Typical Turn-Off Delay Time:130 ns
Id - Continuous Drain Current:30.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:78 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация