Моя заявка (0)
TK31N60X,S1F, MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004639185
Артикул
TK31N60X,S1F
Бренд
Toshiba
Вес, г
38
Длина
15.94 mm
Серия
TK31N60X
Высота
20.95 mm
Цена по запросу
(от 1 660 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)

Технические параметры

Вес, г38
Длина15.94 mm
СерияTK31N60X
Высота20.95 mm
Ширина5.02 mm
УпаковкаReel, Cut Tape
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада6 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаToshiba
Упаковка / блокTO-247-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора65 nC
Время нарастания22 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности230 W
Id - непрерывный ток утечки30.8 A
Коммерческое обозначениеDTMOSIV
Размер фабричной упаковки30
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток73 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения130 ns
Типичное время задержки при включении55 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)88мОм

Техническая документация