TK31N60W5,S1VF, MOSFETs MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062411022
- Артикул
- TK31N60W5,S1VF
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 6
- Длина
- 15.94 mm
- Серия
- TK31N60W
- Высота
- 20.95 mm
Цена по запросу
(от 1 900 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS
Технические параметры
| Вес, г | 6 |
| Длина | 15.94 mm |
| Серия | TK31N60W |
| Высота | 20.95 mm |
| Ширина | 5.02 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 105 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 230 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 30.8 A |
| Коммерческое обозначение | DTMOSIV |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 82 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |