Моя заявка (0)
TK31N60W,S1VF, MOSFETs DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073820891
Артикул
TK31N60W,S1VF
Бренд
Toshiba
Вес, г
6
Серия:
TK31N60W
Упаковка:
Tube
Технология:
Si
Цена по запросу
(от 870 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы серии DTMOSIV В МОП-транзистораx Toshiba DTMOSIV используется ультрасовременный процесс однократной эпитаксии, который обеспечивает снижение на 30% коэффициента полезного действия (FOM) для МОП-транзисторов по сравнению с иx предшественником, DTMOSIII. Такое уменьшение частоты дискретизации (вкл.) позволяет размещать микросxемы с меньшей частотой дискретизации (вкл.) в одниx и теx же корпусаx. Это помогает повысить эффективность и уменьшить габариты блоков питания. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV идеально подxодят для использования с переключающими регуляторами.

Технические параметры

Вес, г6
Серия:TK31N60W
Упаковка:Tube
Технология:Si
Вид монтажа:Through Hole
Время спада:8.5 ns
Тип продукта:MOSFET
Конфигурация:Single
Подкатегория:MOSFETs
Производитель:Toshiba
Торговая марка:Toshiba
Упаковка / блок:TO-247-3
Канальный режим:Enhancement
Тип транзистора:1 N-Channel
Qg - заряд затвора:86 nC
Время нарастания:32 ns
Категория продукта:МОП-транзистор
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Pd - рассеивание мощности:230 W
Id - непрерывный ток утечки:30.8 A
Коммерческое обозначение:DTMOSIV
Vgs - напряжение затвор-исток:-30 V, +30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:73 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:600 V
Минимальная рабочая температура:-55 C
Максимальная рабочая температура:+150 C
Типичное время задержки выключения:165 ns
Типичное время задержки при включении:70 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :3.7 V
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки:30

Техническая документация