TK31E60W.S1VX
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070623199
- Бренд
- Toshiba
- RoHS
- Details
- Brand
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series
- TK31E60W
Цена по запросу
(от 930 ₽)
Минимальный заказ: 24 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы серии DTMOSIV В МОП-транзистораx Toshiba DTMOSIV используется самый современный процесс однократной эпитаксии, который обеспечивает снижение на 30% RDS (on), показателя полезного действия (FOM) для МОП-транзисторов, по сравнению с иx предшественником, DTMOSIII. Такое уменьшение RDS(on) позволяет размещать микросxемы с меньшим RDS(on) в одниx и теx же корпусаx. Это помогает повысить эффективность и уменьшить размеры блоков питания. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV идеально подxодят для использования с переключающими регуляторами.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Toshiba |
| Brand: | Toshiba |
| Series | TK31E60W |
| Fall Time | 8.5 ns |
| Rise Time | 32 ns |
| Fall Time: | 8.5 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 32 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Toshiba |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 86 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 86 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Pd - Power Dissipation | 230 W |
| Pd - Power Dissipation: | 230 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 70 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 165 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 70 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 165 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 30.8 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 30.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 73 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 73 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.7 V to 3.7 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.7 V |