TK30A06N1,S4X(S, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014233203
- Артикул
- TK30A06N1,S4X(S
- Бренд
- Toshiba
- Width
- 4.5mm
- Series
- TK
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.001
Цена по запросу
(от 770 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 4.5mm |
| Series | TK |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.001 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220SIS |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 15 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0122 Ом |