TK2R9E10PL,S1X(S, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013299594
- Артикул
- TK2R9E10PL,S1X(S
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.001
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- TO-220
- Power Dissipation
- 306Вт
Цена по запросу
(от 1 810 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | TO-220 |
| Power Dissipation | 306Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.0024Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0024 Ом |