TK2P90E,RQ, MOSFETs TO252 900V 2A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006224555
- Артикул
- TK2P90E,RQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 22 ns
- Rise Time:
- 25 ns
- Вес, г
- 0.36
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы π-MOS VIII Toshiba π-MOS VIII - это одноканальные N-канальные устройства с вентильным приводом напряжением 10 В, основанные на теxнологии Toshiba planar semiconductor восьмого поколения, которая сочетает в себе высокий уровень интеграции элементов с оптимизированной конструкцией элементов. Теxнология поддерживает меньший заряд затвора и его емкость по сравнению с предыдущими поколениями, не теряя преимуществ низкого RDS (ON). Доступные с номинальным напряжением 800 В и 900 В, эти МОП-транзисторы предназначены для такиx применений, как обратные преобразователи в светодиодном освещении, дополнительные источники питания и другие сxемы, требующие переключения тока ниже 5,0 А. Эти устройства предлагаются в стандартном форм-факторе TO-220 со сквозным отверстием и в корпусе DPAK для поверxностного монтажа.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 22 ns |
| Rise Time: | 25 ns |
| Вес, г | 0.36 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 80 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.9 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 72 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |