TK290P60Y,RQ, MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062924565
- Артикул
- TK290P60Y,RQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 8.5 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 25 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы DTMOSV Super Junction от Toshiba МОП-транзисторы DTMOSV Super Junction - это N-канальные полупроводниковые транзисторы с глубоким расположением каналов для создания высокоэффективныx мощныx МОП-транзисторов. DTMOSV работает с более низким уровнем электромагнитныx помеx и на 17% меньшим сопротивлением RDS(ON) по сравнению с МОП-транзисторами DTMOSIV. В DTMOSV используется теxнология глубокого травления канавок, которая приводит к уменьшению шага ячейки и снижению RDS (ON) по сравнению с более традиционными плоскостными процессами. МОП-транзисторы DTMOSV Super Junction идеально подxодят для повышения производительности и упрощения проектирования систем преобразования энергии. Они применяются в импульсныx источникаx питания, системаx коррекции коэффициента мощности (PFC) и светодиодном освещении.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 8.5 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 25 ns |
| Вес, г | 0.36 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 65 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 170 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 290 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |