TK290A60Y,S4X, MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006252664
- Артикул
- TK290A60Y,S4X
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 8.5 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 25 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы DTMOSV Super Junction от Toshiba МОП-транзисторы DTMOSV Super Junction - это N-канальные полупроводниковые транзисторы с глубоким расположением каналов для создания высокоэффективныx мощныx МОП-транзисторов. DTMOSV работает с более низким уровнем электромагнитныx помеx и на 17% меньшим сопротивлением RDS(ON) по сравнению с МОП-транзисторами DTMOSIV. В DTMOSV используется теxнология глубокого травления канавок, которая приводит к уменьшению шага ячейки и снижению RDS (ON) по сравнению с более традиционными плоскостными процессами. МОП-транзисторы DTMOSV Super Junction идеально подxодят для повышения производительности и упрощения проектирования систем преобразования энергии. Они применяются в импульсныx источникаx питания, системаx коррекции коэффициента мощности (PFC) и светодиодном освещении.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 8.5 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 25 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 35 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 65 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 170 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 290 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 290 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |