TK28E65W,S1X(S,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044637569
- Артикул
- TK28E65W,S1X(S
- Бренд
- Toshiba
- Width
- 4.45mm
- Series
- DTMOSIV
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.9
Цена по запросу
(от 1 850 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 4.45mm |
| Series | DTMOSIV |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.9 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.7V |
| Особенности | высоковольтный |
| Maximum Power Dissipation | 230 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 27.6 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 27.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 65 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.094 Ом |