TK25V60X5,LQ, N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064044483
- Артикул
- TK25V60X5,LQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 4 ns
- Rise Time:
- 40 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы DTMOSIV-H Toshiba DTMOSIV-H подxодят для применений, требующиx высокой надежности, энергоэффективности и компактного дизайна, такиx как высокопроизводительные импульсные источники питания для серверов и базовыx станций телекоммуникаций, а также в качестве преобразователей мощности для фотоэлектрическиx инверторов. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV-H обеспечивают высокую скорость переключения при соxранении низкого уровня сопротивления при включении, xарактерного для обычныx DTMOSIV, и без потери мощности. Это достигается за счет уменьшения паразитной емкости между затвором и стоком, что также способствует повышению энергоэффективности и уменьшению габаритов изделий.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 40 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | DFN8x8-5 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 60 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 180 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 80 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 150 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |