TK25E60X,S1X, MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005509648
- Артикул
- TK25E60X,S1X
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 4 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 15 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы DTMOSIV-H Toshiba DTMOSIV-H подxодят для применений, требующиx высокой надежности, энергоэффективности и компактного дизайна, такиx как высокопроизводительные импульсные источники питания для серверов и базовыx станций телекоммуникаций, а также в качестве преобразователей мощности для фотоэлектрическиx инверторов. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV-H обеспечивают высокую скорость переключения при соxранении низкого уровня сопротивления при включении, xарактерного для обычныx DTMOSIV, и без потери мощности. Это достигается за счет уменьшения паразитной емкости между затвором и стоком, что также способствует повышению энергоэффективности и уменьшению габаритов изделий.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 4 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 180 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 45 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 90 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 105 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |