TK22A10N1,S4X(S, Trans MOSFET N-CH Si 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002185659
- Артикул
- TK22A10N1,S4X(S
- Бренд
- Toshiba
- Width
- 4.5mm
- Series
- TK
- Military
- No
- Packaging
- Magazine
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Минимальный заказ: 130 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный МОП-транзистор N-CH Si 100V 52A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) В магазине TO-220SIS
Технические параметры
| Width | 4.5mm |
| Series | TK |
| Military | No |
| Packaging | Magazine |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220SIS |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Package | TO-220SIS |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 13.8 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 52 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 22 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |