TK22A10N1,S4X, MOSFETs MOSFET NCh12.2ohm 10V 10uA VDS100V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062289982
- Артикул
- TK22A10N1,S4X
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 1.95
- Длина
- 10 mm
- Серия
- TK22A10N1
- Высота
- 15 mm
Цена по запросу
(от 580 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор NCh12.2ohm 10V 10uA VDS100V
Технические параметры
| Вес, г | 1.95 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | TK22A10N1 |
| Высота | 15 mm |
| Ширина | 4.5 mm |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 28 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 22 A |
| Коммерческое обозначение | U-MOSVIII-H |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |