TK20J60W,S1VQ(O, TK Type N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3P
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014494199
- Артикул
- TK20J60W,S1VQ(O
- Бренд
- Toshiba
- Width
- 4.5mm
- Series
- TK
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 1 500 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 4.5mm |
| Series | TK |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-3PN |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.7V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 165 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
| Maximum Drain Source Resistance | 155 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |