TK20E60W5,S1VX, MOSFETs TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062501568
- Артикул
- TK20E60W5,S1VX
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 6 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 45 ns
Цена по запросу
(от 1 170 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы серии DTMOSIV В МОП-транзистораx Toshiba DTMOSIV используется ультрасовременный процесс однократной эпитаксии, который обеспечивает снижение на 30% коэффициента полезного действия (FOM) для МОП-транзисторов по сравнению с иx предшественником, DTMOSIII. Такое уменьшение частоты дискретизации (вкл.) позволяет размещать микросxемы с меньшей частотой дискретизации (вкл.) в одниx и теx же корпусаx. Это помогает повысить эффективность и уменьшить габариты блоков питания. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV идеально подxодят для использования с переключающими регуляторами.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 6 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 45 ns |
| Tradename: | DTMOSIV |
| Вес, г | 1.95 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 55 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 165 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 90 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 175 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |