TK20E60W,S1VX(S, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014321851
- Артикул
- TK20E60W,S1VX(S
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 2
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- TO-220
- Power Dissipation
- 165Вт
Цена по запросу
(от 2 300 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | TO-220 |
| Power Dissipation | 165Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 0.13Ом |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.7В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.13 Ом |