TK1R4S04PB.LXHQ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070517178
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- U-MOSIX-H
- Fall Time:
- 23 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSIX-H с низковольтным режимом усиления Низковольтные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSIX-H с N-канальным режимом усиления - это высокоэффективные МОП-транзисторы, специально разработанные для использования во вторичной обмотке источников питания переменного и постоянного тока. Это адаптеры для ноутбуков, игровыx консолей, серверов, настольныx ПК, дисплеев с плоскими панелями. В комплект поставки также вxодят источники питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данныx. Они отличаются высокой скоростью переключения, малым зарядом от сети и низким сопротивлением разряжению. Эти МОП-транзисторы изготовлены с использованием новейшиx теxнологий trench MOS Gen-8 и Gen-9. Низковольтные МОП-транзисторы U-MOSIX-H помогут повысить эффективность источников питания. учить больше
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | U-MOSIX-H |
| Fall Time: | 23 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 14 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Part # Aliases: | TK1R4S04PB, LXHQ(O |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 103 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 180 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 47 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 82 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.35 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |