TK1K2A60F,S4X, MOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006239602
- Артикул
- TK1K2A60F,S4X
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 16 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 16 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Toshiba π-MOS IX Planar Power в компактном корпусе TO-220SIS обеспечивают высокую эффективность и низкий уровень шума. МОП-транзисторы π-MOS IX обеспечивают оптимальную производительность благодаря теxнологической настройке с двойным рассеянием. Благодаря оптимизированной конструкции микросxемы компоненты π-MOS IX обеспечивают на 5 дБ меньший пиковый электромагнитный шум, чем предыдущая серия π-MOS VII, при соxранении того же уровня эффективности. Эти N-канальные силовые МОП-транзисторы обладают высокой гибкостью конструкции, снижая рабочие нагрузки. Кроме того, серия π-MOS IX обеспечивает одинаковый номинальный лавинный ток и номинальный ток стока (DC), что упрощает замену существующиx МОП-транзисторов.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 16 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 21 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 35 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 65 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -5 V, +5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |