TK17A80W.S4X
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065532715
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Длина
- 10 mm
- Серия
- TK17A80W
- Высота
- 15 mm
Цена по запросу
(от 730 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | TK17A80W |
| Высота | 15 mm |
| Ширина | 4.5 mm |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 7 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 45W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 32nC@10V |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.05nF@300V |
| Continuous Drain Current (Id) | 17A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 32 nC |
| Время нарастания | 24 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 17 A |
| Коммерческое обозначение | DTMOSIV |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 250 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 80 ns |
| Типичное время задержки при включении | 58 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |