Моя заявка (0)

TK17A80W,S4X, 800V 17A 290mOhm@8.5A,10V 45W null TO-220SIS MOSFETs

TK17A80W,S4X, 800V 17A 290mOhm@8.5A,10V 45W null TO-220SIS MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024894056
Артикул
TK17A80W,S4X
Бренд
Toshiba
Вес, г
2
Длина
10 mm
Серия
TK17A80W
Высота
15 mm
Цена по запросу
(от 400 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W

Технические параметры

Вес, г2
Длина10 mm
СерияTK17A80W
Высота15 mm
КорпусTO-220
Ширина4.5 mm
УпаковкаTube
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада7 ns
Power Dissipation (Pd)45W
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)32nC@10V
Торговая маркаToshiba
Упаковка / блокTO-220-3
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.05nF@300V
Continuous Drain Current (Id)17A
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора32 nC
Время нарастания24 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности45 W
Id - непрерывный ток утечки17 A
Коммерческое обозначениеDTMOSIV
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток250 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
Пороговое напряжение на затворе4V@850uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения80 ns
Типичное время задержки при включении58 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А17
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт45
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В3 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)290mΩ@8.5A, 10V

Техническая документация