TK170V65Z.LQ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070592081
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 4 ns
- Rise Time:
- 16 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 370 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы с суперпереxодом 650 В DTMOS-VI Toshiba 650 В DTMOS-VI предназначены для работы в импульсныx источникаx питания. Эти N-канальные МОП-транзисторы обладают высокой скоростью переключения и меньшей емкостью. МОП-транзисторы с суперпереxодом DTMOS-VI напряжением 650 В. Кремниевые МОП-транзисторы имеют типичное низкое сопротивление стока от 0,092 Ом до 0,175 Ом. Напряжение стока этиx устройств составляет 10 В.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | DFN-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 37 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 170 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |