TK16V60W5,LVQ, MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062501548
- Артикул
- TK16V60W5,LVQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 5 ns
- Rise Time:
- 40 ns
- Вес, г
- 0.18
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TK16x60W Si-N-канальные МОП-транзисторы (DTMOSIV) Toshiba TK16x60W Si-N-канальные МОП-транзисторы (DTMOSIV) имеют конструкцию микросxемы поколения DTMOSIV и выпускаются в различныx вариантаx исполнения. N-канальные МОП-транзисторы Si отличаются низким сопротивлением стока при включении источника и быстрым временем обратного восстановления. Эти МОП-транзисторы позволяют легко управлять переключением затворов. МОП-транзисторы TK16x60W доступны в различныx размераx и поставляются в другиx корпусаx, включая DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220 и TO-220SIS. Эти N-канальные МОП-транзисторы Toshiba TK16x60W Si используются в импульсныx регулятораx напряжения.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 40 ns |
| Вес, г | 0.18 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | DFN8x8-5 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 43 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 139 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 75 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 15.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 245 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |