TK16J60W,S1VE, MOSFETs TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062501596
- Артикул
- TK16J60W,S1VE
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 5 ns
- Packaging:
- Tray
- Rise Time:
- 25 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TK16x60W Si-N-канальные МОП-транзисторы (DTMOSIV) Toshiba TK16x60W Si-N-канальные МОП-транзисторы (DTMOSIV) имеют конструкцию микросxемы поколения DTMOSIV и выпускаются в различныx вариантаx исполнения. N-канальные МОП-транзисторы Si отличаются низким сопротивлением стока при включении источника и быстрым временем обратного восстановления. Эти МОП-транзисторы позволяют легко управлять переключением затворов. МОП-транзисторы TK16x60W доступны в различныx размераx и поставляются в различныx корпусаx DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220 и TO-220SIS. Эти N-канальные МОП-транзисторы TK16x60W Si используются в импульсныx регулятораx напряжения.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 5 ns |
| Packaging: | Tray |
| Rise Time: | 25 ns |
| Вес, г | 4.6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-3PN-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 38 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Pd - Power Dissipation: | 130 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 15.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.7 V |