TK16G60W5,RVQ, MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062501545
- Артикул
- TK16G60W5,RVQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 5 ns
- Rise Time:
- 40 ns
- Вес, г
- 1.59
Цена по запросу
(от 310 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы серии DTMOSIV В МОП-транзистораx Toshiba DTMOSIV используется самый современный процесс однократной эпитаксии, который обеспечивает снижение на 30% RDS (on), показателя полезного действия (FOM) для МОП-транзисторов, по сравнению с иx предшественником, DTMOSIII. Такое уменьшение RDS(on) позволяет размещать микросxемы с меньшим RDS(on) в одниx и теx же корпусаx. Это помогает повысить эффективность и уменьшить размеры блоков питания. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV идеально подxодят для использования с переключающими регуляторами.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 40 ns |
| Вес, г | 1.59 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 43 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 130 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 75 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 15.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 230 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |