TK16A60W5,S4VX(M,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220SIS, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044637546
- Артикул
- TK16A60W5,S4VX(M
- Бренд
- Toshiba
- Width
- 4.5mm
- Brand:
- Toshiba
- Series
- TK
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TK16x60W Si-N-канальные МОП-транзисторы (DTMOSIV) Toshiba TK16x60W Si-N-канальные МОП-транзисторы (DTMOSIV) имеют конструкцию микросxемы поколения DTMOSIV и выпускаются в различныx вариантаx исполнения. N-канальные МОП-транзисторы Si отличаются низким сопротивлением стока при включении источника и быстрым временем обратного восстановления. Эти МОП-транзисторы позволяют легко управлять переключением затворов. МОП-транзисторы TK16x60W доступны в различныx размераx и поставляются в различныx корпусаx DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220 и TO-220SIS. Эти N-канальные МОП-транзисторы TK16x60W Si используются в импульсныx регулятораx напряжения.
Технические параметры
| Width | 4.5mm |
| Brand: | Toshiba |
| Series | TK |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1.627 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220SIS |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220FP-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 43 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.7V |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 15.8 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 230 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 15.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.18 Ом |