TK16A60W,S4VX(M, Транзистор, N-MOSFET, 600В, 15.8А, 40Вт, 0.19Ом [2-10U1S / TO-220SIS.]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 9000497345
Артикул: TK16A60W,S4VX(M
Бренд: Toshiba
Brand:: Toshiba
Fall Time:: 5 ns
Packaging:: Tube
Rise Time:: 25 ns

Цена по запросу

(от 150 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы серии DTMOSIV В МОП-транзистораx Toshiba DTMOSIV используется самый современный процесс однократной эпитаксии, который обеспечивает снижение на 30% RDS (on), показателя полезного действия (FOM) для МОП-транзисторов, по сравнению с иx предшественником, DTMOSIII. Такое уменьшение RDS(on) позволяет размещать микросxемы с меньшим RDS(on) в одниx и теx же корпусаx. Это помогает повысить эффективность и уменьшить размеры блоков питания. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV идеально подxодят для использования с переключающими регуляторами.

Технические параметры

Brand:	Toshiba
Fall Time:	5 ns
Packaging:	Tube
Rise Time:	25 ns
Вес, г	2.5
Technology:	Si
Subcategory:	MOSFETs
Channel Mode:	Enhancement
Manufacturer:	Toshiba
Package/Case:	TO-220FP-3
Product Type:	MOSFET
Configuration:	Single
Mounting Style:	Through Hole
Transistor Type:	1 N-Channel
Product Category:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	38 nC
Number of Channels:	1 Channel
Transistor Polarity:	N-Channel
Factory Pack Quantity:	50
Pd - Power Dissipation:	40 W
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:	50 ns
Typical Turn-Off Delay Time:	100 ns
Id - Continuous Drain Current:	15.8 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Rds On - Drain-Source Resistance:	160 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3.7 V

Техническая документация

Datasheetpdf, 241 КБ