TK14N65W,S1F, MOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006241440
- Артикул
- TK14N65W,S1F
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 38
- Длина
- 15.94 mm
- Серия
- TK14N65W
- Высота
- 20.95 mm
Цена по запросу
(от 1 510 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор NChannel 0.22ohm DTMOS
Технические параметры
| Вес, г | 38 |
| Длина | 15.94 mm |
| Серия | TK14N65W |
| Высота | 20.95 mm |
| Ширина | 5.02 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 35 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 130 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 13.7 A |
| Коммерческое обозначение | DTMOSIV |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 220 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 65 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.22Ом |