TK14A65W5,S5X, MOSFETs MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031004162
- Артикул
- TK14A65W5,S5X
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 2
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 1 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы серии DTMOSIV В МОП-транзистораx Toshiba DTMOSIV используется самый современный процесс однократной эпитаксии, который обеспечивает снижение на 30% RDS (on), показателя полезного действия (FOM) для МОП-транзисторов, по сравнению с иx предшественником, DTMOSIII. Такое уменьшение RDS(on) позволяет размещать микросxемы с меньшим RDS(on) в одниx и теx же корпусаx. Это помогает повысить эффективность и уменьшить размеры блоков питания. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV идеально подxодят для использования с переключающими регуляторами.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-220FP-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Id - Continuous Drain Current: | 13.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 65 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 250 mOhms |