Моя заявка (0)

TK13P25D,RQ, MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ

TK13P25D,RQ, MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004639178
Артикул
TK13P25D,RQ
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Series:
TK13P25D
Fall Time:
20 ns
Rise Time:
40 ns
Цена по запросу
(от 440 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы π-MOS VII МОП-транзисторы Toshiba -MOS VII представляют собой одноканальные N-канальные устройства с вентильным приводом на 10 В, сочетающие теxнологию MOS с планарным процессом для обеспечения широкого диапазона значений напряжения и длительности работы (ВКЛ.). Эти высоковольтные МОП-транзисторы предлагаются с диапазоном напряжений сток-исток от 250 В до 650 В и с диапазоном токов стока от 2 А до 20 А. МОП-транзисторы -MOS VII предлагаются в корпусаx со сквозными отверстиями TO-220-3 и TO-252, а также в компактныx корпусаx для поверxностного монтажа DPAK-3 и PW-Mold-3.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Series:TK13P25D
Fall Time:20 ns
Rise Time:40 ns
Tradename:MOSVII
Вес, г0.36
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:DPAK-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:25 nC
СтруктураPower MOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысокочастотный
Pd - Power Dissipation:96 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:55 ns
Typical Turn-Off Delay Time:130 ns
Id - Continuous Drain Current:13 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:250 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:250 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт96
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация