Моя заявка (0)
TK12A60W,S4VX, TO-220-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024891886
Артикул
TK12A60W,S4VX
Бренд
Toshiba
Вес, г
6
Длина
10 mm
Серия
TK12A60W
Высота
15 mm
Цена по запросу
(от 130 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC

Технические параметры

Вес, г6
Длина10 mm
СерияTK12A60W
Высота15 mm
КорпусTO-220
Ширина4.5 mm
УпаковкаTube
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада5.5 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаToshiba
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора25 nC
Время нарастания23 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности35 W
Id - непрерывный ток утечки11.5 A
Коммерческое обозначениеDTMOSIV
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток300 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения85 ns
Типичное время задержки при включении45 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.7 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация