TK11P65W,RQ, N-Channel 650 V 11.1A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064044495
- Артикул
- TK11P65W,RQ
- Бренд
- Toshiba
- Military
- No
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 3
- Automotive
- No
Цена по запросу
(от 920 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-контактный(2+Tab) DPAK T/R
Технические параметры
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Supplier Package | DPAK |
| Process Technology | DTMOSIV |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 100000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 25 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 25@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 650 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3.5 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 11.1 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 890@300V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 440@10V |