TK110U65Z,RQ, MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062501553
- Артикул
- TK110U65Z,RQ
- Бренд
- Toshiba
- Type:
- Silicon N-Channel MOSFET
- Brand:
- Toshiba
- Product:
- MOSFETs
- Fall Time:
- 4 ns
Цена по запросу
(от 420 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные МОП-транзисторы DTMOS VI в комплектации TOLL Высоковольтные МОП-транзисторы Toshiba DTMOSVI в комплектации TOLL отличаются низким сопротивлением включения стока (Rdson) и высокой скоростью переключения при меньшей емкости. Это делает иx идеальными для применения в импульсныx источникаx питания. Это последнее поколение DTMOSVI с самым низким коэффициентом полезного действия RDS(ON)xQgd и размещено в новом корпусе TOLL (9,9×11,68×2,3 мм) с подключением к источнику питания по шкале Кельвина для снижения потерь при включении и выключении.
Технические параметры
| Type: | Silicon N-Channel MOSFET |
| Brand: | Toshiba |
| Product: | MOSFETs |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 18 ns |
| Вес, г | 0.75 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | 2-10AF1A-9 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 45 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 90 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 86 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |