TK110P10PL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; Idm: 160А; 75Вт; DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003104021
- Артикул
- TK110P10PL
- Бренд
- Toshiba
- Case
- DPAK
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.38
- Manufacturer
- TOSHIBA
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; Idm: 160А; 75Вт; DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | DPAK |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.38 |
| Manufacturer | TOSHIBA |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 60A |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 75W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 16mΩ |
| Drain-source voltage | 100V |
| Pulsed drain current | 160A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4 Ом/2А, 10В |