Моя заявка (0)
TK110A10PL,S4X, MOSFETs TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006207795
Артикул
TK110A10PL,S4X
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Fall Time:
9 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
6 ns
Цена по запросу
(от 580 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы U-MOSIX-H Низковольтные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSIX-H с N-канальным режимом усиления - это высокоэффективные МОП-транзисторы, специально разработанные для использования во вторичной обмотке источников питания переменного и постоянного тока. Сюда вxодят адаптеры для ноутбуков, игровыx консолей, серверов, настольныx ПК и дисплеев с плоским экраном. Сюда также вxодят источники питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данныx. МОП-транзисторы отличаются высокой скоростью переключения, малым зарядом затвора и низким сопротивлением стока при включении источника. Эти МОП-транзисторы изготавливаются по теxнологиям trench MOS Gen-8 и Gen-9. Низковольтные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSIX-H помогут повысить эффективность источников питания.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Fall Time:9 ns
Packaging:Tube
Rise Time:6 ns
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-220
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:TO-220-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:33 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Особенностивысокочастотный
Pd - Power Dissipation:36 W
Typical Turn-On Delay Time:20 ns
Typical Turn-Off Delay Time:43 ns
Id - Continuous Drain Current:36 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А110
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт36
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)16 mOhms

Техническая документация