TK10P60W.RVQ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070659107
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Длина
- 6.5 mm
- Серия
- TK10P60W
- Высота
- 2.3 mm
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | TK10P60W |
| Высота | 2.3 mm |
| Ширина | 5.5 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5.5 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Время нарастания | 22 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 80 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 9.7 A |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 45 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.7 V |