TK10P50W,RQ, MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004726885
- Артикул
- TK10P50W,RQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- TK10P50W
- Fall Time:
- 5.5 ns
- Rise Time:
- 22 ns
Цена по запросу
(от 900 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы DTMOSVI МОП-транзисторы Toshiba серии DTMOSVI обладают низким сопротивлением стока при включении (RDSВКЛЮЧЕНИИ) = 0,033 Ом (тип.). Эти устройства имеют напряжение стока-истока 650 В и ток стока 57 А. МОП-транзисторы серии DTMOSVI обеспечивают высокую скорость переключения при меньшей емкости. Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для использования в импульсныx источникаx питания.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | TK10P50W |
| Fall Time: | 5.5 ns |
| Rise Time: | 22 ns |
| Tradename: | DTMOSVI |
| Вес, г | 0.36 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | DPAK-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Структура | Power MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высокочастотный |
| Pd - Power Dissipation: | 80 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 45 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 9.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 430 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |