TK10J80E,S1E(S,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 10 A, 0.7 ohm, TO-3P, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044526003
- Артикул
- TK10J80E,S1E(S
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 2
- No. of Pins
- 3Pins
- Channel Type
- N Channel
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 1 380 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Transistor Case Style | TO-3P |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source Voltage Vds | 800V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 10A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10V |