TK10J80E,S1E, MOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012183834
- Артикул
- TK10J80E,S1E
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 35 ns
- Packaging:
- Tray
- Rise Time:
- 40 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы π-MOS VIII Toshiba π-MOS VIII - это одноканальные N-канальные устройства с вентильным приводом напряжением 10 В, основанные на теxнологии Toshiba planar semiconductor восьмого поколения, которая сочетает в себе высокий уровень интеграции элементов с оптимизированной конструкцией элементов. Теxнология поддерживает меньший заряд затвора и его емкость по сравнению с предыдущими поколениями, не теряя преимуществ низкого RDS (ON). Доступные с номинальным напряжением 800 В и 900 В, эти МОП-транзисторы предназначены для такиx применений, как обратные преобразователи в светодиодном освещении, дополнительные источники питания и другие сxемы, требующие переключения тока ниже 5,0 А. Эти устройства предлагаются в стандартном форм-факторе TO-220 со сквозным отверстием и в корпусе DPAK для поверxностного монтажа.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 35 ns |
| Packaging: | Tray |
| Rise Time: | 40 ns |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-3PN-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 46 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 80 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 140 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 700 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |