TK10E80W,S1X, MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062501583
- Артикул
- TK10E80W,S1X
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 10 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 35 ns
Цена по запросу
(от 1 090 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы DTMOSVI МОП-транзисторы Toshiba DTMOSVI обладают низким сопротивлением стока-истока - 0,033 Ом (типичное значение), напряжением стока-истока - 650 В и током стока - 57 А. МОП-транзисторы DTMOSVI обеспечивают высокую скорость переключения при меньшей емкости. Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для использования в импульсныx источникаx питания.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 10 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 35 ns |
| Вес, г | 1.95 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 19 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Pd - Power Dissipation: | 130 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 65 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 120 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 9.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 550 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |